本文標(biāo)題："應(yīng)用于晶粒平均尺寸測(cè)定分析專(zhuān)業(yè)圖像顯微鏡廠商"

應(yīng)用于晶粒平均尺寸測(cè)定分析專(zhuān)業(yè)圖像顯微鏡廠商

快速熱退火
一般退火處里是利用熱能將材料內(nèi)應(yīng)力缺陷消除，或使材料內(nèi)雜質(zhì)產(chǎn)生擴(kuò)
散作用；材料晶格內(nèi)的原子及缺陷在受到外加能量作用后，會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)及擴(kuò)散，迫
使原子排列重新組合，進(jìn)行再結(jié)晶。當(dāng)退火溫度較低時(shí)，熱能量?jī)H能提供晶格內(nèi)的
原子運(yùn)動(dòng)及缺陷重新分布達(dá)一穩(wěn)定態(tài)，無(wú)法對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生任何變化，此階段稱(chēng)為
復(fù)原。當(dāng)熱能使材料內(nèi)的缺陷因原子重新排列而降低，進(jìn)而產(chǎn)生無(wú)差排的晶粒時(shí)
稱(chēng)為再結(jié)晶過(guò)程。當(dāng)退火溫度繼續(xù)提升，再結(jié)晶過(guò)程所形成的晶粒就具有足夠的能
量克服晶粒間的表面，晶粒即開(kāi)始消耗并吞小晶粒而成長(zhǎng)成較大的晶粒，此階段稱(chēng)
為晶粒成長(zhǎng)。
快速熱退火（Rapid Thermal Annealing RTA）處理過(guò)程包含三階段：升溫階段、
穩(wěn)定階段和冷卻階段，升溫過(guò)程中，單位時(shí)間內(nèi)溫度變化量的大小，亦即升溫速率，
將影響材料晶粒形成大小，在穩(wěn)定階段和冷卻階段，時(shí)間的長(zhǎng)短都將對(duì)材料內(nèi)應(yīng)力
型態(tài)造成影響

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