本文標(biāo)題："晶粒截面分析樣品,實(shí)際試樣中相鄰晶粒分析"
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晶粒截面分析樣品,實(shí)際試樣中相鄰晶粒分析
由于實(shí)際試樣中相鄰晶粒之間的取向差不同，各個(gè)相
鄰晶粒對(duì)之間的表面能差值也將不同。所以盡管從整體上講晶粒
長大已被阻止，但也存在這樣的可能性，即在試樣的某些局部，個(gè)
別晶粒與其鄰晶相比表面能特別低，從而能獲得足夠大的驅(qū)動(dòng)力
以克服各種因素(如表面蝕溝、雜質(zhì)原子、第二相粒子等)的阻
力而繼續(xù)生長。由于此時(shí)其他晶粒的生長已受阻礙，這些個(gè)別晶粒
的長大必然表現(xiàn)出異常晶粒長大的特征。
樣中的正常晶粒長大受表面蝕溝的阻礙而停止時(shí)，常常會(huì)發(fā)生由
于表面能差異而誘發(fā)的異常晶粒長大。給定的材料中往往只有個(gè)
別晶面具有最低的表面能，例如，在面心立方金屬中具有最低表
面能而可能成為二次晶粒的是以及面平行于表面的晶粒，在鐵硅
合金中是以及面平行于表面的晶粒。
改變退火時(shí)的氣氛條件將可能改變不同取向晶粒之間表面能
的差異，從而改變異常晶粒長大后的材料織構(gòu).這一原理已被用于
硅鋼片的生產(chǎn)工藝控制，以求獲得盡可能集中的戈斯織構(gòu)或者立
方織構(gòu)。
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