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本文標題:"透明導電TCO膜具有良好的導電性及透光性"

發(fā)布者:yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------ 人瀏覽過-----時間:2013-6-16 0:43:51

 透明導電氧化物(TCO)的薄膜被重視,因為它們已被用來作為透明電極,在各領

域,如太陽能電池、平面顯示器和發(fā)光元件。氧化鋅(ZnO)是一種很有前途替代
氧化銦錫(ITO)的材料,氧化鋅薄膜為N型Ⅱ–Ⅵ族半導體具有寬能隙(室溫下約3.37ev),
屬六方最密堆積纖鋅礦結構(hexagonal wurtzite structure),
 
因具有良好的導電性及透光性,TCO薄膜材料的開發(fā)、性質(zhì)與制程的改良、以及應用研究
等,一直都備受重視,特別是在光電領域方面。由于純ZnO薄膜導電性與熱穩(wěn)定性
不佳,一般常摻入Al、Ga、In等雜質(zhì)來提升其導電性與改善其熱穩(wěn)定,IZO(indium-
doped ZnO)薄膜在導電性提升上有很大的幫助。由于In3+離子比Zn2+離子多一價電
荷,當ZnO晶格中的Zn2+離子被一個In3+離子取代時,可多提供出一個自由載子,所
以IZO薄膜相較于ZnO薄膜,其自由載子濃度較高并且摻雜的In 原子在佔據(jù)晶格結
構中之格隙位置,同時會引起晶格結構扭曲,反而會造成電子的移動率下降。當摻
雜其他金屬離子于ZnO中,隨著摻雜的量增加,同樣會造成自由載子濃度提升,電
子移動率下降的現(xiàn)象發(fā)生,所以摻雜量對于導電性的提升有很大的影響
 

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